metallo organic vapor phase epitaxy
同义词释义
- 1)metallo organic vapor phase epitaxy,有机金属汽相外延2)low pressure metal-organic vapor phase epitaxy(LP-MOVPE),低压金属有机汽相外延(LP-MOVPE)3)organometallic vaporphase epitaxy,金属有机化合物汽相外延<光>4)MOVPE,金属有机物气相外延5)metal organic chemical vapor deposition,金属有机化学气相外延6)metal organic vapor phase epitaxy,金属有机气相外延
用法例句
This paper was overviewed the basic properties of GaN-based material,analyzed key technologies in making blue GaN-based LEDs,such as MOVPE,P-doping ohmic contact,etching and chip dicing saw,and introduced recent progresses of technologies at present.
本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光LED制程的关键技术如金属有机物气相外延,P型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指出了需要改进的问题,展望了末来的研究方向。
The relation between control parameters and the Al solid\|vapor distribution coefficient kAl is deduced for the atmospheric pressure MOVPE (AP\|MOVPE) growth of AlGaAs and based on this relation the data from AP\|MOVPE growth of AlGaAs are analyzed.
从固态组分控制方面,对AlGaAs 的常压金属有机物气相外延(AP-MOVPE)生长技术进行了研究。
In this paper,GaN films are grown by metal organic vapor phase epitaxy.
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系。
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